闕端麟(1928年5月19日—2014年12月17日)，出生于福建福州。半導體材料學家。1991當選為中國科學院學部委員(院士)。1984年加入九三學社。九三學社第八屆中央委員會委員，第九、十屆中央委員會常委。
闕端麟1951年畢業于廈門大學電機系，畢業后留校任教。1953年調浙江大學工作，1954年晉升為講師，1978年晉升為副教授，1981年晉升為教授。曾先后任浙江大學電機系實驗室主任、無線電系半導體材料與器件教研室副主任、材料科學與工程系副主任、半導體材料研究室主任、半導體材料研究所所長、浙江大學副校長、校務委員會副主任等職。
闕端麟忠誠人民的教育事業，在教育戰線上辛勤耕耘，培養了一大批社會主義事業接班人。浙江大學是我國最早開辦半導體材料與器件專業的學校之一，闕端麟是開辦該專業的最主要骨干教師之一，為該專業的建設和發展做出過重要貢獻。他先后為本科生、研究生開設了電工材料、半導體材料、半導體專論、真空技術、半導體物理、近代物理基礎等10多門課程，其中多門課程都是在沒有教科書，甚至沒有系統參考書的情況下，由他首先收集資料開出的。闕端麟由于基礎扎實、知識面寬、根底深厚，講課深入淺出，理論聯系實際，語言精練而生動，得到學生好評。他注重理論聯系實際，有很強的實驗技能，在教學過程中一貫重視培養學生實踐和實驗能力。在他的指導下，研究生都能較早深入實驗室和工廠參加課題討論、實驗和生產實踐，并從中選擇畢業論文課題，往往收到很好效果，大多數研究生的論文都有較高的學術水平和應用價值。在闕端麟的言傳身教訓練下，他的學生都有較強的科研實驗能力。許多學生已成長為各單位業務骨干和領導。
闕端麟是我國自己培養的專家，他深信在中國的土地上能夠做出自己的貢獻。幾十年的攀登拼搏，換來了一項又一項成果、發明，為中國人爭了光。在科研道路上闖過了坎坎坷坷的闕端麟深深體會到，自力更生精神在科技工作中的體現，不僅僅是艱苦奮斗，它更深刻的含義在于利用中國現有條件，去爭取高水平的成果。他對前人的經驗和結論并不盲從，而是獨立思考，批判地吸收，從而有所發現、有所創造、有所前進。
闕端麟在繁忙的教學工作的同時，堅持不懈地開展前沿領域的科研工作。1954年，他開始從事溫差電材料的研究，跨入了半導體材料這一新興學科，試制成我國第一臺溫差發動機。1959年轉向硅材料的研究，1964年在國內首先用硅烷法制成純硅，隨后在浙江大學組成了擴大的研究課題組，于1970年完成了高純硅烷及多晶硅生產的成套技術研究，工藝簡單，流程短，易于保證高純度，是我國生產高純硅烷的主要方法，該成果獲國家發明獎三等獎。他首次為國內提供了電子工業急需的純硅烷氣體；負責并領導了極高阻硅單晶的研制，并成功地研制出了探測器級硅單晶、P型電阻率高達100KCM的硅單晶，達到國際水平。在硅單晶電學法測試方面，他進行了新的測試方法和理論研究，提出了雙頻動態電導法和間歇加熱法測試硅材料導電型號；發展了紅外光電導衰減壽命測試技術和理論，創立并首先發表了高頻單色光電導法壽命測試的表面修正公式。他主持研制生產儀器的技術指標大大超過同類進口儀器水平，使硅單晶工業產品壽命測試儀全部國產化，該成果獲國家發明獎三等獎。20世紀80年代是闕端麟在科研上豐收的時期，除高純硅和測試技術、測試儀器外，還在硅晶體生長技術方面取得了實質性進展，“氮保護氣氛直拉硅單晶”的研究成功，打破了國外同行專家“不可能采用氮氣做保護氣氛拉制硅單晶”的結論，取得了6項發明專利，經濟效益和社會效益十分顯著。“減壓充氮直拉硅單晶技術”被《科技日報》評選為我國1987年10項重大科技成果之一，1988年該成果又在布魯塞爾舉行的第37屆尤里卡世界發明博覽會上獲金牌獎；1989年獲國家發明獎二等獎。
他在研究工作中有兩個特色：一是在選題上有自己獨到的見解；二是他一貫重視科研與生產的緊密結合，將科研成果轉化為生產力。
確定研究方向、選擇研究課題在科研工作中具有極其重要的作用，它關系到能否取得高水平成果、能否有發展前途。闕端麟在確定研究方向和選題時所遵從的原則是：既要尋找有發展前途的高水平課題，又要照顧到本單位乃至我國所具備的實際條件，量力而行。20世紀70年代，他經過深思熟慮，由研究溫差電材料，轉而選擇了量大面廣、性能優良的硅材料作為研究方向，邁出了關鍵的一步；30多年后，他在浙大建成了以高純硅材料為特色的國家重點實驗室。他認為，科學研究不能“人云亦云”、“湊熱鬧”，搞低水平的重復。在了解和研究前人及同時代人工作的基礎上，必須要有自己的思想和獨特的技術思路，才會有所建樹。這些思想促使他選題方向正確，且富有創造性，往往取得顯著成果。
闕端麟不僅一直非常重視科研與生產相結合，而且積極主張努力發展校辦產業，他的多項成果一經鑒定就直接轉入浙江大學半導體廠生產，工廠所創造的經濟效益又用來支持學科和實驗室建設，形成了生產與學科建設緊密結合的思路。在此思路的指導下，半導體廠發展很快，1995年國務院發展研究中心授予半導體廠“中華之最”榮譽稱號。
在建設浙江大學半導體材料學科過程中，闕端麟帶領一班人四處奔波，尋求支持，苦心經營，經過了由小到大、由“土”變“洋”的漫長道路。闕端麟是國內較早開始半導體材料研究的學者之一。闕端麟作為高純硅國家重點實驗室學術帶頭人、浙江大學半導體材料專業創始人，他的業績不僅是上述教學研究成果和發明，還具有可貴的創業精神。他苦心經營，把幾個人的科研小組發展成集教學、科研、生產于一體的近百人的集體，建立了一支老中青相結合的學術梯隊，創立了擁有數億元固定資產的基地，為學科的發展奠定了堅實的基礎。浙江大學半導體材料學科是國務院學位委員會批準的第一批碩士學位授予點和第一個半導體材料工學博士學位授予點，1988年又被評定、批準為國家教委重點學科。1985年國家計委批準在浙江大學建設高純硅國家重點實驗室，1987年建成并對外開放。它具備了較好的從事半導體材料和半導體器件教學、研究的條件，已成為培養高質量人才、出高水平成果的基地。
闕端麟教授學識淵博，誨人不倦，平易近人，師德高尚，他愛黨愛國，刻苦攻關，碩果累累。1956年，他被評為浙江大學先進工作者，1983年被評為浙江省五講四美為人師表優秀教師，1986年被評為國家級有突出貢獻的中青年專家，1988年獲浙江省勞動模范稱號，1990年被評為全國高等學校先進科技工作者，同年獲全國“五一”勞動獎章。他在政府和學術團體中擔任的專業職務主要有：浙江省自然科學基金委員會副主任、浙江省學位委員會副主任、浙江省人民政府經濟建設咨詢委員會委員、中國電子學會電子材料學會專業學會副主任、浙江省電子學會副理事長、國務院第二屆、第三屆學位委員會非金屬材料學科評議組成員、國家科委發明委員會特邀評審員、國家自然科學基金委員會半導體學科評審組成員、中國發明協會理事等。歷任九三學社中央委員會常委、浙江省委員會主任委員，浙江省政協副主席。
主要論著
1闕端麟，采用氮保護氣氛制造直拉(切氏法)硅單晶方法，中國發明專利 ，CN85100295B(已授權)。
2闕端麟，重摻銻硅單晶的制造方法，中國發明專利，CN86100854B(已授權)。
3闕端麟，直拉硅單晶的氣相摻氮方法，中國發明專利，CN1003607B(已授權)。
4闕端麟，一種微氮低氧低碳直拉硅單晶的制備方法，中國發明專利，CN1003797B (已授權)。
5闕端麟，控制直拉硅單晶中氮量的方法，中國發明專利，CN1040400A(已授權)。
6闕端麟，紅外光源硅單晶少子壽命測試儀，浙江大學學報，1982，3。
7闕端麟，高頻109μ紅外光電導衰減法測試硅單晶非平衡截流子壽命，浙江大 學學報，1985，2。
8闕端麟，高阻探測器級硅單晶，稀有金屬1987，60。
9闕端麟，高阻硅低溫歐姆接觸，半導體學報，1988，9(2)。
10Que Duanlin,Nitrogen Concentration in CZ Silicon Crystals Grown under Nitrogen Atmosphere，Proceedings of 2th International Conference on Solid State and IC Te chnology,Beijing，1989.
11闕端麟，采用氮保護氣氛生長的功率晶體管用硅單晶的研究，浙江大學學報， 1990，24(3)。
12闕端麟，減壓氮保護直拉硅單晶生長，中國科學A輯，1991，2C zochralski Silicon Crystal Growth in Ntrogen Atmosphere Under Reduced Pressure ，Science in China (Series A)，1991.
13闕端麟，含氮CZSi中NN對的退火行為，半導體學報，1991，12(4)。
14闕端麟，微氮硅單晶中的熱受主，半導體學報， 1991，12(8)。
15闕端麟，中國大百科全書·電子學與計算機卷“硅材料”篇。
16Oue Duanlin,Czochralski Silicon Crystal Growth in Nitrogen Atmosphere under Reduced Pressure，Science in China (Series A),1991,34(8)：1017～1024.
17Que Duanlin,Surface Recmbination Correction Formula for Measuring Minority Carrie r Lifetime in Silicon Crystals by Monochromatic Light Photoconductive Decay ，Chinese Journal of Electronics,1994,3(4)：76～78.
18Que Duanlin,Oxygen Precipitate of New Morphology in Nitrogen Doped Silicon ， Progress in Natural Science,1994,3(2)：176～180.
19Que Duanlin,Nitrogen Effects on Thermal Donor and Shallow Thermal Donor in Silico n，JApplPhys，1995,77(2)：933.
20Que Duanlin,Effect of Nitrogenoxygen Complex on Electrical Properties of Czoch ralski Silicon，ApplPhysLett.,1996,68(4)：487.
