吳全德(1923年12月12日—2005年12月29日)，出生于浙江黃巖。電子物理學家。1991年當選為中國科學院學部委員(院士)。1953年加入九三學社。
吳全德的父親吳甘霖，在黃巖縣城郊開f設小酒店，母親從事家務勞動。父母教育他要誠實待人，認真讀書，做個好人。吳全德小時候跟鄰里老人學認字，1931年入縣樊川小學，1933年轉入浙江海門省立臺州中學附屬小學。他在小學成績一直優(yōu)秀。1933年畢業(yè)，順利升入臺州中學初中部。1938年進入臺州中學高中部，因遇上日本兵艦炮擊海門(現臺州市椒江區(qū))，1939年轉入黃巖縣中學，1943年春畢業(yè)，并以優(yōu)異成績被保送進入西南聯大。經過兩個多月的千辛萬苦，才到達昆明。抗日戰(zhàn)爭勝利后，1946年隨清華大學回到北平(北京)繼續(xù)學習，1947年以優(yōu)異成績畢業(yè)于清華大學電機系，留校任物理系助教，協(xié)助孟昭英教授籌建電子學實驗室。1952年院系調整，吳全德調到北京大學物理系，在電子學組任講師。1953年任電子學教研室代主任。1955年任電子物理教研室主任。從那時起他開始進行電子光學方面的研究。1958年該室研究紅外變像管。1959年北京大學建立無線電電子學系，電子物理專業(yè)被劃入該系，吳全德也轉到該系繼續(xù)任原職。1961年被提升為副教授。他在講授陰極電子學課程的同時，進行光電陰極的研究工作，于1963年首先提出了陰極的固溶膠理論，1966年提出離子晶體或共價晶體中固溶膠粒的形成和生長理論，1978年晉升為教授。1979年他提出銀氧銫陰極含銀超微粒子的能帶模型，推導出光電流密度和量子產額公式，此公式后來被國外學者稱為“吳氏輸運函數”。他所提出的光電陰極的固溶膠模型和光電子發(fā)射的理論被稱為“吳氏理論”。他對“金屬超微粒子—半導體薄膜材料的結構和特性”的研究，獲1987年國家自然科學獎三等獎和國家教育委員會科學技術進步獎二等獎。
在光電陰極方面，他進行了較深入的理論和實驗研究，尤其是對銀氧銫(Ag-O-Cs)光電陰極的結構和光電子發(fā)射機理的研究取得了重要成果。Ag-O-Cs光陰極(也稱S—1陰極)是最早(1929)發(fā)明的實用光電陰極，世界上第一只電視攝像管和第一只紅外變像管就是利用這種陰極制成的。它具有較高的近紅外靈敏度和復雜的光譜響應特性，至今在紅外光電轉換和探測儀器中仍被廣泛應用。在激光出現以后，它的優(yōu)越的超短脈沖檢測特性和多光子效應受到光電專家的重視，但它的發(fā)射機理長期沒有被認識清楚，近半個世紀以來，多數人認為這個陰極是半導體結構，但用半導體模型解釋該陰極特性時又遇到很多矛盾，有些學者認為S-1陰極的發(fā)射機理是一個謎。吳全德于1963年首先提出了這種光電陰極的固溶膠模型，指出了這種光電陰極的結構是金屬銀超微粒子埋藏于氧化銫半導體中，他從理論上討論了基質中金屬微粒的成核、生長條件，提出了離子晶體或共價晶體中固溶膠粒的形成和生長理論，并給出了金屬微粒-半導體薄膜的能帶結構和電子態(tài)分布，以此為基礎討論了Ag-O-Cs光電陰極的導電機理、光吸收、光電激發(fā)和光電子輸運過程以及光電子發(fā)射的量子產額公式：
Y(hv)=α∫∞Es-EFEE+(Ev-hv)E+(Ev-Ec)1/2
expEm-EkTdE在這個領域，吳全德最先用這種模型、理論和公式定量地闡明了Ag-O-Cs光電陰極的結構和特性，并從理論上得出對長波光電發(fā)射有貢獻的平均銀超微粒的直徑為31納米。大量的科學實驗證實了這個模型是合理的，這個理論較好地解釋了實驗結果。
在20世紀60年代后期，多堿光電陰極獲得廣泛應用，它是在可見光、近紫外和近紅外范圍有較高靈敏度的實用光電陰極，是高增益高分辨率像增器發(fā)展的基礎，但對它的光電發(fā)射機理的討論都采用單晶半導體模型。吳全德在1985年與合作者一起對“多堿效應”做出了實質性的解釋，并提出多晶光電發(fā)射模型和對光譜響應有影響的兩個參量，即晶粒間界處的位壘高度和光電子的界面損失率，從而對光譜響應的變化給出解釋。
吳全德在光電陰極的研究方面取得突破性成果的同時，擴展了他的研究范圍，研究了在更普遍情況下，原子團和超微粒子成核和生長理論，給出了在介質或半導體中形成原子團和超微粒子的理論公式和物理條件。在這個理論指導下，可以有目的地控制制備金屬超微粒子—半導體薄膜和金屬超微粒子—絕緣體薄膜。這類薄膜具有獨特的光學、電學、磁學和光電性質，它可以制成光和電磁波強吸收材料、光學雙穩(wěn)態(tài)材料、超短光脈沖檢測薄膜，以及多種氣體敏感薄膜，因此這類薄膜是目前人們感興趣的研究課題。
吳全德意識到薄膜技術在高科技各個領域的重要性，但對薄膜生長的基礎(包括成核、生長、連續(xù)成膜和外延等)還沒有完整的理論。因此他研究了在固體表面原子團形成的物理條件，討論了薄膜形成的一般過程和穩(wěn)定外延生長的條件，提出成核、生長和外延生長的互補性，給出了有關公式。這一理論工作在薄膜制備和固體器件加工及外延生長條件等方面是非常有意義的。
在上述研究的基礎上，吳全德與合作者以及他所指導的研究生進行了金屬超微粒子的結構和特性的系統(tǒng)實驗研究。超微粒子是指尺寸小于100納米的微粒，其中小于20納米的稱為原子團。原子團具有不同于原子物理所描述的原子、分子和固體物理所描述的塊體的結構和特性，描述原子團的結構和特性的學科為原子團物理。至今人們在這個領域中研究較多的是在惰性氣體中制備原子團和測試原子團的特性。而吳全德則已經比較深入地研究了埋藏在介質或半導體中的金屬超微粒子薄膜的結構與特性，特別是它們的光電特性，從理論和實驗上給出一系列的研究結果。這些成果表明吳全德的研究工作有其獨到的開創(chuàng)性和先進性。
吳全德發(fā)現在納米信息薄膜中會出現藝術性造型。他收集到一批圖片，曾舉辦“顯微鏡下的形象藝術——納米信息薄膜藝術圖片展”。他稱這種藝術圖像為“實驗造化藝術”，這里既有造化之功，也有人的創(chuàng)造性付出。
在吳全德等人的建議下，北京大學于1997年9月成立“納米科學與技術研究中心”，他被任命為主任。該中心在單壁碳納米管、超高密度信息存儲、針尖化學等方面取得了創(chuàng)新成果。
吳全德出版有《吳全德文集》和《薄膜物理》等書籍，發(fā)表150多篇學術文章；還出版了《藝術與科學的融合——納米科技改變人類生產、生活、思維方式》一書。
吳全德歷任《物理學報》、《高速攝影與光子學》編委，電子工業(yè)出版社顧問，中國電子學會理事，國防科工委夜視專業(yè)組副組長，北京大學學術委員會委員，國家計委世界銀行貸款項目“重點學科發(fā)展項目”專家組成員，國家自然科學基金委員會信息科學部電子學科評審組成員，中國科學院真空物理實驗室學術委員會副主任，中國電子學會會士評審組成員和學術委員會委員等職務。
主要論著
1吳全德，陰極的固溶膠理論，第一次全國電真空器件專業(yè)學術會議文集，1964：371～389。
2吳全德，用電子顯微鏡觀察銀氧銫光電陰極的銀膠粒和銀顆粒，物理學報，1979，28(4)：553～562。
3吳全德，銀氧銫光電陰極的長波光譜響應和固溶小膠粒，物理學報，1979，28(5)：603～621。
4Wu Quande and Liu Xiqing,Electric Conduction of Metallic Ag ParticlesCs2O Semiconductor Thin Films,JVacSciTechniol，1983，Al(3)：317～375.
5Wu Quande and Liu Libin,Multialkali and Polycrystalline Properties of Multialkali Antimonide Photocathodes,Advances in Electronics and Electron Physics,1985，64B：373～383.
6Wu Quande,Xue Zengquan et al，Optical Properties of Cs2O and AgCs2O Thin Films,JVacSciTechnol，1987，A5(4)：1960～1964.
7吳全德、薛增泉，金屬微粒—半導體薄膜中小膠粒的光吸收與散射，物理學報，1987，36 (2)：183～190。
8Wu Quande,Formation and Growth of Clusters and Ultrafine Particles on Solid Surfaces,JDe Physique,1987，48(6)：531～536.
9Wu Quande,Nucleation and Growth of Ultrafine Particles and Condition of Epitaxy,Chinese PhysLett,1988，5(4)：173～176.
10吳全德、薛增泉、劉惟敏，超微粒子—半導體薄膜的結構和特性，物理，1989，18(7)： 407～408。
11Wu Quande，Nucleation and Growth of Vapor Phase Deposition on Solid Surfaces，Vacuum,1990，41(4，6)：1431～1433.
12吳全德，離子晶體中固溶膠的形成和生長以及施主原子濃度(Ⅰ)，(Ⅱ)，物理學報，1996 ，22(1)：1～28。
